瞻芯电子开发的2款极紧凑封装的栅极驱动芯片IVCR2404MP通过可靠性认证，并正式量产。这两款产品为24V 4A 双通道栅极驱动系列芯片IVCR2404MP，采用极紧凑的MSOP-8封装，对比SOIC-8封装，占用PCB面积减少49%，体积减小68%。

  2024年6月18-19日，第28届国际汽车电子峰会（Automobil Elektronik Kongress, AEK）2024 在德国路德维希堡举办。东软集团高级副总裁兼首席投资官、东软欧洲公司董事长兼总裁王楠博士受邀发表主旨演讲。作为今年大会唯一一位来自中国的主题演讲嘉宾，王楠博士在演讲中分享了中国市场的趋势及创新活力、全球合作的契机以及中国技术伙伴如何支持全球车企创新。

  UPS 在二十世纪刚问世时，唯一的用途是在停电时提供应急电源，但由于价格昂贵，应用场景范围十分有限。如今，随着电力电子技术的持续不断的发展，UPS 可以高效地优化供电质量、过滤线路噪声、抑制浪涌，并根据自身的需求在任何地点提供更长时间的备用电源。在追求低碳环保的当下，低能耗、高可靠性、小尺寸已成为 UPS 发展的新方向。安森美（onsemi）推出的UPS系统方案指南，对UPS设计进行了全面介绍。本文为第一篇，将聚焦系统用途、市场趋势展开讲解。

  2024年6月21日，数据库技术界的年度盛事——openGauss Developer Day 2024在北京昆泰嘉瑞文化中心盛大开幕。这场由openGauss社区主办的大会，吸引了来自全国各地的数据库开发者、技术专家和行业领袖，一同探讨数据库技术的最新趋势和应用实践。

  6月20日，高通&芯讯通边缘智能技术进化日成功举办。共邀物联网行业合作伙伴齐聚广州，围绕AI边缘计算、工业场景应用、边缘大模型、智能模组产品应用等主题发表精彩演讲。芯讯通董事长杨涛、高通公司高级销售总监金骏、芯讯通管理委员会主任原舒、芯讯通首席技术官骆小燕出席本次活动。

  维持电压低易闩锁是高性能可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件设计时需要克服的缺点。为了尽最大可能避免SCR静电防护器件在CMOS集成电路芯片正常工作状态下被噪声偶然触发并进入闩锁状态，一般有两类方案来解决，一种是使SCR器件的维持电压高于电源电压，另一种方式是使器件维持电流高于闩锁触发电流。一种灵巧方案是使SCR器件具有动态维持电压。三类方法的实质均是使器件的IV曲线远离芯片的闩锁区域。

  可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点，但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电压低易闩锁的缺点。本文介绍可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法。

  栅极接地NMOS是一种大范围的应用的片上ESD器件结构，为达到特定ESD防护等级，一般会采用多叉指版图形式来减小器件占用的芯片面积。但是，多叉指栅极接地NMOS在ESD应力作用下，各个叉指难于做到均匀开启，无法达到预期ESD防护等级。本文从版图、器件结构、触发技术等角度介绍一些改善多叉指MOSFET静电防护器件电流泄放均匀性提升器件静电防护鲁棒性的技巧。

  物联网组网将使得数据通信量骤增，而室外组网的高严苛和高噪声环境对数据传输的可靠性提出了更高的要求。因静电而造成的瞬态过压将影响数据传输的正确性，甚至损坏总线数据收发芯片。本文以RS485总线接口芯片为例，讲述内置TVS器件保护总线接口芯片方法。

  电子产品的静电失效来源于生产、装配、封装、运输、组装和测试所有的环节。为了模拟电子科技类产品在不同环境中的不同放电方式，以期完整地评估电子科技类产品对静电放电的敏感度，国内外各大组织机构已构建了相应的静电放电模式和测试标准。

  据统计，静电放电(Electro-Static Discharge, ESD)造成的芯片失效占到集成电路产品失效总数的38%。完好的全芯片ESD防护设计，一方面取决于满足ESD设计窗口要求的优质ESD器件结构，另一方面全芯片ESD防护网络的考量也格外重要。

  瞬态电压抑制器在承受瞬间高能量脉冲时，能在极短的内由原来的高阻抗状态变为低阻抗，并把电压箝制到特定的水平，从而有效地保护用户的设备和元器件不受损坏，可应用于家用电器、电子仪器、精密设备、计算机系统、通讯设备、RS232&485及 CAN等通讯端口、ISDN的保护等所有的领域。不同的应用应选取有效保护的TVS器件，本文介绍选取原则。

  雷击浪涌和电气过压组件有气体放电管、陶瓷放电管、压敏电阻、瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor，TVS)。放电管的耐电流能力很强，但是其反应速度慢，箝制电压也非常高;压敏电阻的寄生电容大，导通电阻也高，且低电压的压敏电阻漏电流大;而利用半导体工艺制作的TVS二极管具有漏电小、响应速度、箝位电压低的优点，本文介绍TVS二极管的特点和保护原理。

  导语：nLDMOS已经被大范围的应用在电源管理芯片、LED/LCD驱动、便携产品和汽车电子等功率IC领域，其优点是：它可以被同时用作内核电路的输出驱动管和输出端口的ESD箝位器件。湖南静芯微电子技术有限公司研究之后发现，nLDMOS版图实现的具体形式对器件静电防护性能也存在着一定的影响。

  导语：LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，在相同面积下将LDMOS的静电防护潜能提高一倍。

  导语：LDMOS晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor, LDMOS)已大范围的应用于电源管理集成电路、LED/LCD驱动器、手持和汽车电子等高压功率集成电路。了解LDMOS的静电防护性能，有益于高压功率IC的片上静电防护器件设计。

  脱离安卓，完全自研，纯血鸿蒙HarmonyOS NEXT开始打造自主生态圈

  电子发烧友网报道（文/黄山明）6月21日，华为开发者大会上，期待已久的HarmonyOS NEXT（纯血版鸿蒙）新版本正式对外发布。早在4月份，华为轮值董事长徐直军便公开表示，打造鸿蒙原生 应用生态是华为在2024年的核心任务 。     而这款 去掉了传统的Linux内核以及AOSP等代码 ， 完全自研的操作系统 ，也标志着华为彻底走出了与其他操作系统完全不同的道路。   HarmonyOS NEXT Beta版正式发布   从2023年8月4日，华为推出了HarmonyOS NEXT预览版， 其系统底座全线自研

  6月21日，华为在HDC2024上带来了万众期待的鸿蒙 NEXT系统。全新的鸿蒙 NEXT采用了新的架构设计，在性能、设计、安全、AI等方面都作出了巨大的升级。

  华芯微电子新推出HS6606 sot23-5封装产品,适用于各类人体感应应用场景,体积小,外围极简,助力打造超小型感应模块. 比一角硬币还小的硬币传感模块 产品特征 ◆  sot23-5封装,超小体积. ◆ 内部滤波算法可有效抑制干扰,超高稳定性.                     ◆ 5uA超低功耗,超长待机时间.      ◆ 无需配置,外围极简.    脚位说明 功能说明 1.REL输出端口 REL是信号有效触发输出端，当感应到人体等有效信号时，REL输出高电平，否则输出低电平。 2.CDS管脚

  保隆科技日前获得全球著名汽车零部件企业带温度传感器线束的全球项目定点。该定点生命周期总金额1.8亿元人民币，根据项目计划，量产时间为2026年第二季度。 据了解，带温度传感器线束是一款集成油温传感器、水温传感器、速度传感器线束以及位置传感器线束的产品，该产品具有高度集成化、低成本、鲁棒性好等优点，温度传感器具有响应时间短、精度高等特点。其高集成度，使得安装和布线更方便快捷，大幅度减少了空间占用和维护成本。该产品采